Month: July 2024

在科技界的目光都聚焦于即将发布的Arrow Lake-S台式机处理器之际,英特尔(Intel)却悄然推出了一系列全新的第14代Raptor Lake Refresh处理器。这个被称为”14001″系列的新品线引发了业内专家的广泛讨论,其最大特点是完全去除了效能核心(E-core),仅保留性能核心(P-core)。更令人惊讶的是,该系列的旗舰型号竟然支持超频,这在嵌入式处理器市场尚属首次。 独特的产品定位 这个新系列包括3款Core i9、2款Core i7和4款Core i5处理器,共计9个型号。其中最引人注目的无疑是旗舰产品Core i9-14901KE。从型号中的”K”后缀可以看出,这很可能是一款支持超频的处理器。如果这一猜测属实,14901KE将成为英特尔有史以来首款可超频的嵌入式处理器。 一位不愿具名的行业分析师表示:”英特尔此举颇为大胆。在嵌入式市场推出可超频处理器,这不仅打破了传统,也为高性能嵌入式计算开辟了新的可能性。” 无E核心设计的利弊 自第12代处理器以来,这是英特尔首次推出完全没有E核心的产品线。这一设计选择引发了业界的诸多猜测和讨论。 有观点认为,这可能是英特尔为了提高良品率而采取的策略。一位半导体行业专家解释道:”通过推出无E核心的处理器,英特尔可以利用那些E核心有缺陷但P核心完好的芯片。这不仅提高了生产效率,也最大化了每一片硅晶圆的价值。” 然而,去除E核心也带来了一些潜在的优势。自混合架构问世以来,操作系统调度器在为不同工作负载选择合适的核心方面一直面临挑战。纯P核心的设计可能会简化这一过程,提供更稳定和可预测的性能。 性能与功耗的平衡 新系列中的三款Core i9处理器均配备8个Raptor Cove P核心、16线程和36MB的三级缓存。它们之间的主要区别在于时钟速度和功耗设计。 旗舰型号i9-14901KE的热设计功耗(TDP)为125W,最高睿频可达5.8GHz,基础频率为3.8GHz。相比之下,i9-14901E的TDP降至65W,最高睿频仅略低至5.6GHz,但基础频率大幅下降至2.8GHz。功耗最低的i9-14901TE,TDP仅为45W,最高睿频和基础频率分别为5.5GHz和2.3GHz。 这种梯度设计显示了英特尔在性能和功耗之间寻求平衡的努力。一位处理器架构专家评论道:”这种细分策略让客户可以根据自己的需求选择最合适的产品。高性能场景可以选择14901KE,而对功耗敏感的应用则可以考虑14901TE。” 市场影响与未来展望 尽管这些新处理器仅面向嵌入式市场,但其推出仍然引发了广泛关注。有分析师指出,这可能预示着英特尔正在为未来的产品线调整做准备。 “通过这次’试水’,英特尔可能在评估市场对纯P核心处理器的接受程度,”一位市场研究专家表示,”如果反响积极,我们不排除未来在主流市场看到类似产品的可能性。” 然而,也有声音对英特尔此时推出新产品表示担忧。考虑到最近英特尔处理器稳定性问题的报道,有人质疑这是否是合适的时机。一位IT系统管理员在社交媒体上评论道:”在现有问题还未完全解决的情况下推出新品,这让我们这些终端用户感到困惑。” 结语 英特尔的这一系列新处理器无疑为嵌入式计算市场带来了新的选择。它们不仅展示了英特尔在产品设计上的创新,也反映了公司在应对市场挑战和技术困境时的灵活性。 然而,这些产品能否取得成功,还有待市场的检验。在当前处理器市场竞争日益激烈的背景下,英特尔需要证明这种无E核心的设计确实能带来实质性的优势。同时,公司也需要平衡创新与稳定性,以重建用户信心。 未来,我们或许会看到这种设计理念对英特尔主流产品线的影响。无论如何,这次悄然推出的新处理器系列,无疑为整个行业提供了新的思考方向。 [...]

13代和14代移动CPU出现崩溃 英特尔归咎于常见软硬件问题 在高端PC市场持续动荡之际,英特尔(Intel)的移动处理器产品线也未能幸免于难。该公司最新承认,其第13代和第14代酷睿移动处理器也出现了不稳定问题。然而,英特尔坚称这一问题与此前困扰台式机处理器的bug并不相同,而是源于一系列常见的软硬件问题。 移动处理器也未能幸免 英特尔近期向Tom’s Hardware发表声明,承认公司确实收到了”少量关于英特尔第13代和第14代酷睿移动处理器不稳定的报告”。这一消息无疑给原本就陷入困境的英特尔雪上加霜。 一位不愿具名的行业分析师表示:”英特尔原本希望移动处理器能成为其在当前危机中的避风港,但现实似乎并不如人意。这进一步加剧了市场对英特尔产品线整体稳定性的担忧。” 英特尔:问题本质不同 尽管承认移动处理器存在问题,但英特尔坚持认为这与台式机处理器的不稳定现象并不相同。该公司在声明中表示:”基于我们对报告的第13代和第14代台式机处理器不稳定问题的深入分析,英特尔已经确定移动产品并未暴露于相同的问题之中。” 英特尔解释说,在移动系统上报告的症状——包括系统挂起和崩溃——是”源于广泛的潜在软件和硬件问题的常见症状”。这一说法似乎暗示移动处理器的问题可能更加复杂,涉及多个方面。 开发者质疑英特尔说法 然而,并非所有人都接受英特尔的解释。游戏开发公司Alderon Games的创始人Matthew Cassells在Reddit上对英特尔的声明提出质疑。他表示:”笔记本电脑的崩溃方式与台式机完全相同,包括在Unreal Engine、解压缩、ycruncher或类似工作负载下。我们看到的故障笔记本芯片包括但不限于13900HX等。” Cassells进一步指出:”英特尔似乎在淡化这些问题,很可能是出于BGA返工的高昂成本以及可能对OEM和合作伙伴造成损害的考虑。”他还表示,他们在Razer、MSI、华硕等多个品牌的笔记本上都观察到了这些崩溃现象。 问题的复杂性 事实上,Raptor Lake和Raptor Lake Refresh HX系列处理器与其台式机对应产品共享类似的芯片结构。这让一些专家推测,部分HX系列SKU可能会遭遇与Core i9台式机型号相同的命运。 不过,也有观点认为,由于移动芯片有更严格的TDP指导原则,且不需要像台式机处理器那样高的电压,不稳定现象可能相对罕见。但英特尔现在否认了这种推测。 对英特尔的影响 这一系列问题无疑给英特尔带来了严重的信誉危机。经过数月的调查,该公司仍未能找到Raptor Lake和Raptor Lake Refresh Core [...]

13代和14代酷睿CPU频现不稳定 厂商给出新指引但仍无根本解决方案 在高端PC市场,英特尔(Intel)近期陷入了一场信任危机。其最新的第13代和第14代酷睿处理器频频出现不稳定问题,引发用户广泛关注和担忧。尽管英特尔已经给出了新的指导意见,但距离彻底解决这一困扰仍然遥遥无期。 问题频发 用户不满情绪高涨 据Tom’s Hardware报道,英特尔第13代”Raptor Lake”和第14代”Raptor Lake Refresh”桌面处理器(型号包括K/KF/KS)在高负载下经常出现不稳定现象。具体表现为系统崩溃、蓝屏或随机重启等。这一问题主要影响高端的i7和i9处理器,让不少花费重金购买顶级配置的发烧友大呼上当。 一位不愿具名的PC硬件评测博主表示:”我们期待英特尔的新一代处理器能带来性能飞跃,但没想到稳定性却成了绊脚石。这对于以可靠著称的英特尔来说,无疑是一个重大打击。” 英特尔回应:未找到根本原因 面对用户的不满,英特尔方面表示正在与主板合作伙伴一起深入调查此事。该公司向Tom’s Hardware确认:”我们尚未确定问题的根本原因,正在继续与合作伙伴一起调查用户报告的不稳定问题。” 不过,英特尔表示已经发现了一个可能导致问题的因素:过高的处理器输入电压使CPU即使在过热的情况下仍然保持涡轮频率运行。这种情况通常由用户之前应用的BIOS设置导致。 临时解决方案:调整BIOS设置 在寻找根本解决方案的同时,英特尔也给出了一些临时缓解措施。该公司建议用户调整BIOS中的电源设置,并提供了一张详细的推荐设置表格。这些设置主要涉及处理器的功耗限制和电压调节等参数。 英特尔还警告称,希望超频或使用高于推荐值的用户”需要自担风险,因为超频可能会导致保修失效或影响系统健康”。 一个已知bug:增强型热度速度提升算法 在调查过程中,英特尔确实发现了一个与增强型热度速度提升(Enhanced Thermal Velocity Boost,eTVB)算法有关的bug。这个算法本应在处理器温度低于某个阈值时自动提高时钟频率,但现在似乎出现了异常行为。 为解决这个bug,英特尔已经向主板厂商发布了一个补丁。预计在2024年7月19日之前,用户就能通过BIOS更新获得这个修复。 行业影响:英特尔信誉受损 这一系列问题无疑给英特尔的品牌形象带来了负面影响。长期以来,英特尔以其处理器的稳定性和可靠性著称,这也是许多用户和企业选择英特尔产品的重要原因之一。 市场分析师王明(化名)表示:”虽然这次事件主要影响高端发烧级处理器,但它可能会动摇一些用户对英特尔的信心。特别是在AMD锐龙处理器近年来不断进步的背景下,英特尔需要尽快解决这个问题,以避免市场份额进一步流失。” 未来展望:Arrow Lake能否力挽狂澜? 尽管当前面临挑战,但业内人士普遍认为英特尔有能力渡过难关。该公司即将推出的新一代Arrow [...]

在现代微电子制造领域，原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）技术扮演着至关重要的角色。作为一种精确控制薄膜生长的方法，ALD已经成为制造高性能集成电路不可或缺的工艺。其中，氮化钽（TaN）薄膜的ALD工艺尤其引人注目，因为它在微电子器件中具有广泛的应用前景。然而，在进行TaN的ALD过程中，我们必须谨慎选择前驱体和反应条件，以防止底层材料（如铜）发生意外的氧化。本文将深入探讨TaN的ALD工艺，特别关注其对铜表面氧化的潜在影响，以及如何优化工艺参数以确保高质量薄膜的制备。 氮化钽（TaN）的重要性 氮化钽是一种具有独特性质的材料，在微电子领域有着广泛的应用。它具有良好的导电性、化学稳定性和耐热性，这使得它成为理想的扩散阻挡层和金属栅极材料。在集成电路中，TaN薄膜可以有效阻止铜原子向周围介质扩散，同时还能作为铜互连线的粘附层，提高整体器件的可靠性和性能。 原子层沉积（ALD）技术概述 原子层沉积是一种独特的薄膜制备技术，它允许在原子级别上精确控制薄膜的生长。ALD过程通常涉及两种或多种前驱体的交替脉冲，每个脉冲后都会进行吹扫步骤，以确保反应室中只留下化学吸附的单层。这种自限制性生长机制使得ALD能够在复杂的三维结构上沉积均匀的薄膜，这在传统的化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）方法中是难以实现的。 TaN ALD工艺中的前驱体选择 在TaN的ALD过程中，前驱体的选择至关重要。通常使用的钽前驱体包括五氯化钽（TaCl5）、五乙氧基钽（Ta(OEt)5）和钽氨基化合物如PDMAT（五(二甲氨基)钽）。氮源通常使用氨气（NH3）或氮氢混合气体。然而，某些前驱体可能含有氧或在反应过程中释放含氧副产物，这可能导致底层铜材料的氧化。 含氧前驱体的风险 一些ALD前驱体中含有氧元素，或者在反应过程中可能释放含氧副产物。如果这些副产物与铜表面接触，就可能导致铜的氧化。例如，使用Ta(OEt)5作为前驱体时，反应过程中可能会释放乙醇（C2H5OH），其中的氧原子可能与铜反应形成氧化铜。 为了更好地理解这一过程，我们可以考虑以下反应方程式： $\text{Cu} + \frac{1}{2}\text{O}_2 \rightarrow \text{CuO}$ 这个反应在室温下就可以自发进行，而在ALD过程的高温条件下，反应速率会进一步加快。 防止铜氧化的策略 为了防止在TaN ALD过程中发生铜的氧化，可以采取以下几种策略： TaN ALD工艺的优化 为了获得高质量的TaN薄膜并同时保护底层铜不被氧化，需要对ALD工艺进行全面优化。这包括以下几个方面： 前驱体脉冲时间优化 前驱体脉冲时间的优化对于获得均匀的TaN薄膜至关重要。太短的脉冲时间可能导致覆盖不完全，而过长的脉冲时间则可能增加副反应的风险。通过精确控制脉冲时间，可以确保每个ALD循环都能形成完整的单层，同时最小化副产物的生成。 吹扫步骤的重要性 在每次前驱体脉冲之后的吹扫步骤对于防止铜氧化至关重要。充分的吹扫可以清除反应室中的残留前驱体和副产物，减少它们与铜表面接触的机会。通常使用惰性气体（如氩气或氮气）进行吹扫，吹扫时间和流量都需要仔细调整以达到最佳效果。 温度控制 [...]